Если говорить про флеш-память, то быстрее и больше — это всегда лучше. А разрабатываемая компанией Crossbar память типа RRAM (resistive RAM) по этим и не только параметрам не оставляет популярной сегодня NAND никаких шансов.
В сравнении с NAND, RRAM имеет в два раза меньшие габариты, предлагает в 20 раз большую скорость записи (140 MB/s) и чтение данных со значенеим в 17 MB/s, потребляет в 20 раз меньше энергии, а также имеет в 10 раз больший срок жизни. RRAM — память не энергозависимая, так что подходит для постоянного хранения данных. Контрольным выстрелом добивает NAND продвинута 3D структура новой памяти. Чип объемом в 200 мм2 вмещает терабайт данных, тогда как таких чипов в одном носителе может быть несколько.
Немаловажно, что для изготовления модулей RRAM могут использоваться стандартные фабричные технологии и производственная инфраструктура не требует кардинальной модификации.
Crossbar утверждают, что их разработка находится на финальной стадии и будет представлена миру как элемент SoC. Слегка настораживает, что компания эксклюзивно владеет несколькими патентами на RRAM, но в мире бизнеса такие сложности легко преодолеваются ко взаимному удовлетворению игроков — были бы перспективы у технологии. А они есть, и еще какие!
[engadget]