Южнокорейская компания Samsung, крупнейший поставщик флэш-памяти для Apple, объявила о разработке сверхтонких микрочипов флеш-памяти NAND, разработанных специально для использования в мобильных устройствах.
Данный модуль флэш памяти состоит из восьми микросхем емкостью 32 Гбит каждая, произведенных с применением 30-нанометровой технологии. Следовалтельно модуль способен вмещать 32 Гб данных в одном чипе, а толщина такого чипа составит всего 0,6 мм., что на 40% меньше аналога, установленного в iPhone 3GS.
Появились слухи, что этот чип будет интегрирован в следующее поколение Ipod Nano, а некоторые источники сообщают о появлении этого модуля в iPhone следущего поколения.
P.S. Может быть следущее поколение iPhone будет иметь уже 128 ГБ памяти? Возможно и так, но главное, чтоб наращивание памяти не стало основным отличием устройства от ранее выпущенный модели.